RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
58
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
58
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2600
1998
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link