Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB против Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB

Средняя оценка

Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 38

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.0 9.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

14200 10600

Около 1.34% выше полоса пропускания

Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.8 14.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

34 38
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 14.8
Скорость записи, Гб/сек

10.0 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 10600

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

no data 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2102 2466

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9905663-005.A00G 16GB

Kingston 9905663-005.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

Kingston 9965604-008.D00G 16GB

модули RAM