Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 14.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 8.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 38
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 14.1
Скорость записи, Гб/сек

10.1 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2595 2483

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM