RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
11.4
Скорость записи, Гб/сек
10.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2726
2062
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link