RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сравнить
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около -23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3084
2808
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link