RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
32
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3084
3317
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link