RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
61
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
61
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
2028
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Smart Modular SH564568FH8N6PHSFG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link