RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
14.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
14.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
3017
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link