RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB против Kingston KTP9W1-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Средняя оценка
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,636.8
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
68
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,540.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,636.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
827
2978
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link