RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
47
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
10.0
Скорость записи, Гб/сек
14.9
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
2308
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link