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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
47
读取速度,GB/s
18.2
10.0
写入速度,GB/s
14.9
7.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2308
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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