Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    18.2 left arrow 18
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.9 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 28
    Около -27% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    18.2 left arrow 18.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    14.9 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3501 left arrow 3110
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения