Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против AMD R7S48G2400U2S 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

AMD R7S48G2400U2S 8GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 74

Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 8.0

Среднее значение в тестах

AMD R7S48G2400U2S 8GB

Причины выбрать
AMD R7S48G2400U2S 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 74
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 14.2
Скорость записи, Гб/сек

12.5 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 1774

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

модули RAM