RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
74
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
74
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link