Kingston KN2M64-ETB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Причины выбрать
Kingston KN2M64-ETB 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 47

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.7 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 31
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 15.7
Скорость записи, Гб/сек

8.0 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2037 2848

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM