RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3413
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link