RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3413
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link