RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
26
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3437
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link