RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3437
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link