RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
26
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3437
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link