RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Kingston KNWMX1-ETB 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1855
3318
Kingston KNWMX1-ETB 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link