RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Kingston KP223C-ELD 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KP223C-ELD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KP223C-ELD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2137
3546
Kingston KP223C-ELD 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link