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Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.4
18.2
写入速度,GB/s
8.8
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
3546
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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