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PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
15.5
写入速度,GB/s
8.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2208
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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