Kingston KTC1G-UDIMM 1GB против Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Средняя оценка

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Причины выбрать
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,410.6 12.4

Среднее значение в тестах

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Причины выбрать
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 61

Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,230.0 16.8
Скорость записи, Гб/сек

2,410.6 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

754 2962

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

модули RAM