RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
81
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
2,410.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
81
Скорость чтения, Гб/сек
4,230.0
8.5
Скорость записи, Гб/сек
2,410.6
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
754
1651
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link