RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
2179
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link