Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Средняя оценка

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около 13% меньшая задержка

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

21.9 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.3 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 30
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 21.9
Скорость записи, Гб/сек

9.5 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2432 3650

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB

A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

модули RAM