Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Средняя оценка

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около 21% меньшая задержка

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.1 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 33
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.1
Скорость записи, Гб/сек

9.5 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2432 2867

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

модули RAM