RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
6.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
3309
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link