RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
46
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2973
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link