RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
1897
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link