Kingston KVR533D2N4 512MB против Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 75

Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.9 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 31
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 15.9
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 2813

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905704-007.A00G 4GB

Kingston 9905704-007.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

модули RAM