RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
75
Около -275% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
20
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3506
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link