RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
75
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
37
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
1949
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link