RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
75
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
35
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2672
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link