RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
75
Около -134% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2271
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link