RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
75
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
47
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2875
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link