RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
75
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
23
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
4095
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link