RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2722
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link