RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.2 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 42
    Около -75% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.7 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 12.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 6.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1933 left arrow 2256

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
модули RAM