Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Средняя оценка

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 16.5

Среднее значение в тестах

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 50

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.3 1,905.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 33
Скорость чтения, Гб/сек

5,143.3 16.5
Скорость записи, Гб/сек

1,905.1 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 3298

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM