RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
26
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2880
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link