RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2208
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link