RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2811
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link