RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3444
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link