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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
5,143.3
17.9
写入速度,GB/s
1,905.1
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3444
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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