RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Kingston KVT8FP-HYC 4GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
77
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
77
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
1549
Kingston KVT8FP-HYC 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link