RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Kingston KVT8FP-HYC 4GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
77
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
77
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
1549
Kingston KVT8FP-HYC 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link