RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1432
3239
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link