RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сравнить
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.5
5.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
10.7
Скорость записи, Гб/сек
5.1
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1432
2142
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link